| Capacità (PF) | 1750±10% |
|---|---|
| Caratteristica | alta efficienza |
| nome | Elemento ceramico piezo-elettrico |
| standard | CE, ISO9001, ROSH |
| Imballaggi particolari | scatola |
| Diamater | Sφ10 |
|---|---|
| Diametro di apertura | φ3 |
| Spessore | 0.8 |
| vantaggio | buona costruzione, alta ampiezza |
| Applicazioni | trasduttore ultrasonico del sensore |
| Nome del prodotto | Materiali ceramici piezoelettrici |
|---|---|
| Forma | A sezione circolare |
| Forte δ del ationTg di Dissip del campo (400v) | ≤1.0% |
| Impedenza ZM (Ω) di nance di Reso | ≤15 |
| Fattore di qualità Qm | ≥800 |
| Nome del prodotto | Materiali ceramici piezoelettrici |
|---|---|
| Forma | A sezione circolare |
| Campo debole Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Forte δ del ationTg di Dissip del campo (400v) | ≤1.0% |
| Impedenza ZM (Ω) di nance di Reso | ≤15 |
| Nome del prodotto | Materiali ceramici piezoelettrici |
|---|---|
| Forma | A sezione circolare |
| Campo debole Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Forte δ del ationTg di Dissip del campo (400v) | ≤1.0% |
| Impedenza ZM (Ω) di nance di Reso | ≤15 |
| Imballaggi particolari | imballaggio normale |
|---|---|
| Tempi di consegna | 30 GIORNI |
| Capacità di alimentazione | mese di 1000PCS +per |
| Luogo di origine | CN |
| Marca | CCWY |
| Nome del prodotto | Materiali ceramici piezoelettrici |
|---|---|
| Forma | A sezione circolare |
| Campo debole Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Forte δ del ationTg di Dissip del campo (400v) | ≤1.0% |
| Impedenza ZM (Ω) di nance di Reso | ≤15 |
| Imballaggi particolari | imballaggio normale |
|---|---|
| Tempi di consegna | 30 GIORNI |
| Capacità di alimentazione | mese di 1000PCS +per |
| Luogo di origine | CN |
| Marca | CCWY |
| Imballaggi particolari | imballaggio normale |
|---|---|
| Tempi di consegna | 30 GIORNI |
| Capacità di alimentazione | mese di 1000PCS +per |
| Luogo di origine | CN |
| Marca | CCWY |
| Nome del prodotto | Materiali ceramici piezoelettrici |
|---|---|
| Forma | A sezione circolare |
| Campo debole Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Forte δ del ationTg di Dissip del campo (400v) | ≤1.0% |
| Impedenza ZM (Ω) di nance di Reso | ≤15 |